řada: HiperFET, PolarMOSFET IXFN140N30P N-kanálový 115 A 300 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 193-739Značka: IXYSČíslo dielu výrobcu: IXFN140N30PDistrelec Article No.: 30253363
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

115 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

300 V

Řada

HiperFET, Polar

Gehäusegröße

SOT-227

Montage-Typ

Upevnění šroubem

Počet kolíků

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

24 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

5V

Maximální ztrátový výkon

700 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

185 nC při 10 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

38.2mm

Breite

25.07mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

9.6mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™

Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 33,10

€ 33,10 Each (bez DPH)

řada: HiperFET, PolarMOSFET IXFN140N30P N-kanálový 115 A 300 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

1

Dostupné v násobkoch 1
1€ 33,10
2€ 64,88
3€ 97,32
4€ 129,76
5€ 157,20
6€ 188,64
7€ 220,08
8€ 251,52
9€ 282,96
10€ 314,40
11€ 345,84
12€ 377,28
13€ 408,72
14€ 440,16
15€ 471,60

€ 33,10

€ 33,10 Each (bez DPH)

řada: HiperFET, PolarMOSFET IXFN140N30P N-kanálový 115 A 300 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

1

Dostupné v násobkoch 1
1€ 33,10
2€ 64,88
3€ 97,32
4€ 129,76
5€ 157,20
6€ 188,64
7€ 220,08
8€ 251,52
9€ 282,96
10€ 314,40
11€ 345,84
12€ 377,28
13€ 408,72
14€ 440,16
15€ 471,60

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cena
1 - 1€ 33,10
2 - 4€ 32,44
5+€ 31,44

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

115 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

300 V

Řada

HiperFET, Polar

Gehäusegröße

SOT-227

Montage-Typ

Upevnění šroubem

Počet kolíků

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

24 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

5V

Maximální ztrátový výkon

700 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

185 nC při 10 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

38.2mm

Breite

25.07mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

9.6mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™

Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more