IGBT IXXH80N65B4H1 N-kanálový 430 A 650 V, TO-247AD, počet kolíků: 3 5 → 30kHz 1 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 168-4585Značka: IXYSČíslo dielu výrobcu: IXXH80N65B4H1
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBT

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

430 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Počet tranzistorů

1

Maximální ztrátový výkon

625 W

Gehäusegröße

TO-247AD

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Rychlost spínání

5 → 30kHz

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

16.1 x 5.2 x 21.3mm

Maximální pracovní teplota

175 °C

Jmenovitá energie

5.2mJ

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Philippines

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (bez DPH)

IGBT IXXH80N65B4H1 N-kanálový 430 A 650 V, TO-247AD, počet kolíků: 3 5 → 30kHz 1 Jednoduchý

30

Dostupné v násobkoch 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Tube of 30) (bez DPH)

IGBT IXXH80N65B4H1 N-kanálový 430 A 650 V, TO-247AD, počet kolíků: 3 5 → 30kHz 1 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

30

Dostupné v násobkoch 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

430 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Počet tranzistorů

1

Maximální ztrátový výkon

625 W

Gehäusegröße

TO-247AD

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Rychlost spínání

5 → 30kHz

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

16.1 x 5.2 x 21.3mm

Maximální pracovní teplota

175 °C

Jmenovitá energie

5.2mJ

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Philippines

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more