řada: GigaMOS, HiperFETMOSFET MMIX1T600N04T2 N-kanálový 600 A 40 V, SMPD, počet kolíků: 24 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
600 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
GigaMOS, HiperFET
Gehäusegröße
SMPD
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
24
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
830 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
23.25mm
Länge
25.25mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
590 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
5.7mm
Krajina pôvodu
Germany
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady GigaMOS™
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 526,68
€ 26,334 Each (In a Tube of 20) (bez DPH)
20
€ 526,68
€ 26,334 Each (In a Tube of 20) (bez DPH)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
600 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
GigaMOS, HiperFET
Gehäusegröße
SMPD
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
24
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
830 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
23.25mm
Länge
25.25mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
590 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
5.7mm
Krajina pôvodu
Germany
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady GigaMOS™
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products