IGBT modul MG06400D-BN4MM N-kanálový 460 A 600 V, Modul 62MM, počet kolíků: 7 1MHz Sériové zapojení

Skladové číslo RS: 794-4635Značka: LittelfuseČíslo dielu výrobcu: MG06400D-BN4MM
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBTs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Littelfuse

Dauer-Kollektorstrom max.

460 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

1400 W

Gehäusegröße

Modul 62MM

Konfiguration

Series

Montage-Typ

Panel Mount

Typ kanálu

N

Počet kolíků

7

Rychlost spínání

1MHz

Konfigurace tranzistoru

Series

Abmessungen

108 x 62 x 30.5mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Maximální pracovní teplota

150 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

IGBT moduly, Littelfuse

Mimořádně nízká ztráta
Vysoká robustnost
Možnost vysokého zkratu
Kladný teplotní koeficient
Aplikace v motorových jednotkách, měniči, DC/DC převodnících, SMPS a UPS

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

IGBT modul MG06400D-BN4MM N-kanálový 460 A 600 V, Modul 62MM, počet kolíků: 7 1MHz Sériové zapojení
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

1

Dostupné v násobkoch 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

IGBT modul MG06400D-BN4MM N-kanálový 460 A 600 V, Modul 62MM, počet kolíků: 7 1MHz Sériové zapojení
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

1

Dostupné v násobkoch 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Littelfuse

Dauer-Kollektorstrom max.

460 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

1400 W

Gehäusegröße

Modul 62MM

Konfiguration

Series

Montage-Typ

Panel Mount

Typ kanálu

N

Počet kolíků

7

Rychlost spínání

1MHz

Konfigurace tranzistoru

Series

Abmessungen

108 x 62 x 30.5mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Maximální pracovní teplota

150 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

IGBT moduly, Littelfuse

Mimořádně nízká ztráta
Vysoká robustnost
Možnost vysokého zkratu
Kladný teplotní koeficient
Aplikace v motorových jednotkách, měniči, DC/DC převodnících, SMPS a UPS

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more