Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
67 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8,6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.7V
Maximální ztrátový výkon
44.6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20,7 nC při 10 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
2.39mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
25
P.O.A.
Štandardný
25
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
67 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8,6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.7V
Maximální ztrátový výkon
44.6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20,7 nC při 10 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
2.39mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of