MOSFET MDF3N50TH N-kanálový 2,8 A 500 V, TO-220F, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 871-6661Značka: MagnaChipČíslo dielu výrobcu: MDF3N50TH
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2.8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

500 V

Gehäusegröße

TO-220F

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2,5 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

30.5 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

10.71mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

6,75 nC při 10 V

Breite

4.93mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.4V

Höhe

16.13mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Vysokonapěťový MOSFET (HV)

Vysokonapěťový MOSFET s N-kanálem, s nízkým odporem ve stavu a vysokým spínacím výkonem.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

MOSFET MDF3N50TH N-kanálový 2,8 A 500 V, TO-220F, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

P.O.A.

MOSFET MDF3N50TH N-kanálový 2,8 A 500 V, TO-220F, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2.8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

500 V

Gehäusegröße

TO-220F

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2,5 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

30.5 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

10.71mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

6,75 nC při 10 V

Breite

4.93mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.4V

Höhe

16.13mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Vysokonapěťový MOSFET (HV)

Vysokonapěťový MOSFET s N-kanálem, s nízkým odporem ve stavu a vysokým spínacím výkonem.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more