MOSFET MDP1921TH N-kanálový 153 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
153 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
223 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
100 nC při 10 V
Breite
4.83mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
16.51mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťový MOSFET (LV)
Tyto nízkonapěťové (LV) MOSFET poskytují nízký odpor stavu a vysoký výkon přepínání.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnaChipTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
153 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
223 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
100 nC při 10 V
Breite
4.83mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
16.51mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťový MOSFET (LV)
Tyto nízkonapěťové (LV) MOSFET poskytují nízký odpor stavu a vysoký výkon přepínání.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products