MOSFET MDU1516URH N-kanálový 47 A 30 V, PowerDFN56, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 871-5012Značka: MagnaChipČíslo dielu výrobcu: MDU1516URH
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

47 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

PowerDFN56

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

14 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.7V

Maximální ztrátový výkon

35,7 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

6.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

14,6 nC při 10 V

Breite

5.1mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.1V

Höhe

1.1mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Nízkonapěťový MOSFET (LV)

Tyto nízkonapěťové (LV) MOSFET poskytují nízký odpor stavu a vysoký výkon přepínání.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

MOSFET MDU1516URH N-kanálový 47 A 30 V, PowerDFN56, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

MOSFET MDU1516URH N-kanálový 47 A 30 V, PowerDFN56, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

47 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

PowerDFN56

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

14 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.7V

Maximální ztrátový výkon

35,7 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

6.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

14,6 nC při 10 V

Breite

5.1mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.1V

Höhe

1.1mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Nízkonapěťový MOSFET (LV)

Tyto nízkonapěťové (LV) MOSFET poskytují nízký odpor stavu a vysoký výkon přepínání.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more