Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnatecTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
40 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
10.67mm
Breite
4.83mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.02mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
MagnatecTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
40 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
10.67mm
Breite
4.83mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.02mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.