MOSFET BSS138BKW,115 N-kanálový 320 mA 60 V, SOT-323, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
320 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.6V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.48V
Maximální ztrátový výkon
310 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,6 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, 60 V až 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,253
Each (On a Reel of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
€ 0,253
Each (On a Reel of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 50 - 550 | € 0,253 | € 12,63 |
| 600 - 1450 | € 0,069 | € 3,45 |
| 1500+ | € 0,057 | € 2,85 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
320 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.6V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.48V
Maximální ztrátový výkon
310 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,6 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, 60 V až 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products