Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
NPN/PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Kollektor-Emitter-
40 V
Gehäusegröße
TSOP-1
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
370 mW
Minimální proudový zisk DC
300
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální bázové napětí kolektoru
40 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
150 MHz
Počet kolíků
6
Počet prvků na čip
2
Abmessungen
1 x 3.1 x 1.7mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové duální tranzistory NPN/PNP, Nexperia
Řada bipolárních svorkovnic NXP BISS (průraz v malém signálu) s nízkým napětím saturace Dual NPN/PNP. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.
Bipolar Transistors, Nexperia
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,328
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 0,328
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
10 - 40 | € 0,328 | € 3,28 |
50 - 90 | € 0,268 | € 2,68 |
100+ | € 0,214 | € 2,14 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
NPN/PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Kollektor-Emitter-
40 V
Gehäusegröße
TSOP-1
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
370 mW
Minimální proudový zisk DC
300
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální bázové napětí kolektoru
40 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
150 MHz
Počet kolíků
6
Počet prvků na čip
2
Abmessungen
1 x 3.1 x 1.7mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové duální tranzistory NPN/PNP, Nexperia
Řada bipolárních svorkovnic NXP BISS (průraz v malém signálu) s nízkým napětím saturace Dual NPN/PNP. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.