Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-20 V
Gehäusegröße
UPAK
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Minimální proudový zisk DC
300
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
20 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory PNP
Řada bipolárních svorkovnic NXP BISS (průlom v malém signálu) s nízkým napětím saturace PNP. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 3,53
€ 0,353 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
€ 3,53
€ 0,353 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,353 | € 3,53 |
100 - 190 | € 0,226 | € 2,26 |
200 - 990 | € 0,221 | € 2,21 |
1000 - 1990 | € 0,215 | € 2,15 |
2000+ | € 0,209 | € 2,09 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-20 V
Gehäusegröße
UPAK
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Minimální proudový zisk DC
300
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
20 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Nízkonapěťové tranzistory PNP
Řada bipolárních svorkovnic NXP BISS (průlom v malém signálu) s nízkým napětím saturace PNP. Tato zařízení jsou vybavena velmi nízkým saturačním napětím a vysokým odběrem proudu v kompaktních prostorově úsporných balících. Snížení ztrát těchto tranzistorů vede k nižší výrobě tepla a celkovému zvýšení efektivity při použití v přepínacích a digitálních aplikacích.