MOSFET PMF170XP,115 P-kanálový 1 A 20 V, SOT-323, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
200 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.15V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.65V
Maximální ztrátový výkon
1.67 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,6 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 120,17
€ 0,04 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 120,17
€ 0,04 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | € 0,04 | € 120,17 |
| 9000+ | € 0,039 | € 117,17 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
200 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.15V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.65V
Maximální ztrátový výkon
1.67 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,6 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products