Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
LFPAK, SOT-669
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
131 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
63 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 40 V až 55 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 8,46
€ 1,692 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 8,46
€ 1,692 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 10 | € 1,692 | € 8,46 |
15 - 70 | € 1,512 | € 7,56 |
75 - 370 | € 1,322 | € 6,61 |
375 - 745 | € 1,148 | € 5,74 |
750+ | € 0,956 | € 4,78 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
LFPAK, SOT-669
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
131 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
63 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku