Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
76 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
LFPAK, SOT-669
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.15V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
51 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.1mm
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, až 30 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 410,11
€ 0,273 Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
€ 410,11
€ 0,273 Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
76 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
LFPAK, SOT-669
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.15V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
51 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.1mm
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku