Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
DO-41
Maximální stejnosměrný propustný proud
1A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
1000V
Diodová konfigurace
Single
Typ diody
Silicon Junction
Pinanzahl
2
Maximální pokles propustného napětí
1.1V
Počet prvků na čip
1
Durchmesser
2.7mm
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
30A
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
DO-41
Maximální stejnosměrný propustný proud
1A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
1000V
Diodová konfigurace
Single
Typ diody
Silicon Junction
Pinanzahl
2
Maximální pokles propustného napětí
1.1V
Počet prvků na čip
1
Durchmesser
2.7mm
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
30A