Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
800 mA
Kollektor-Emitter-
45 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
210 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
800 mA
Kollektor-Emitter-
45 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
210 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
5.33 x 5.2 x 4.19mm