Technické dokumenty
Špecifikácie
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Režim kanálu
Vylepšení
Typ kanálu
P
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Pinanzahl
6
Konfigurace tranzistoru
Single
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
0.75mm
Länge
2mm
Řada
PowerTrench
Breite
2mm
Maximální ztrátový výkon
2.4 W
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.8 A
Gehäusegröße
Power 33
Maximální odpor kolektor/zdroj
35 mΩ
Brand
ON SemiconductorTypický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16 nC při 10 V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
5
P.O.A.
Štandardný
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Režim kanálu
Vylepšení
Typ kanálu
P
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Pinanzahl
6
Konfigurace tranzistoru
Single
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
0.75mm
Länge
2mm
Řada
PowerTrench
Breite
2mm
Maximální ztrátový výkon
2.4 W
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.8 A
Gehäusegröße
Power 33
Maximální odpor kolektor/zdroj
35 mΩ
Brand
ON SemiconductorTypický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16 nC při 10 V