Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorDauer-Kollektorstrom max.
60 A
Kollektor-Emitter-
650 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
300 W
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.2 x 5 x 20.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
175 °C
Podrobnosti o výrobku
Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorDauer-Kollektorstrom max.
60 A
Kollektor-Emitter-
650 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
300 W
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.2 x 5 x 20.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
175 °C
Podrobnosti o výrobku
Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.