Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
1.2 A
Kollektor-Emitter-
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
10000
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
100nA
Maximální ztrátový výkon
700 mW
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3mm
Höhe
1mm
Breite
1.7mm
Abmessungen
3 x 1.7 x 1mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
1.2 A
Kollektor-Emitter-
30 V
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
10000
Maximální bázové napětí kolektoru
30 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
100nA
Maximální ztrátový výkon
700 mW
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3mm
Höhe
1mm
Breite
1.7mm
Abmessungen
3 x 1.7 x 1mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.