Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
500mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
25V
Konfiguration
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 Ω
Montage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-92
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
160pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
160pF
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.2mm
Höhe
5.33mm
Breite
4.19mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
500mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
25V
Konfiguration
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 Ω
Montage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
TO-92
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
160pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
160pF
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.2mm
Höhe
5.33mm
Breite
4.19mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.