onsemi 1000V 4A, Silicon Junction Diode, 2-Pin Case 267-05 MUR4100E
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
Případ 267-05
Maximální stejnosměrný propustný proud
4A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
1000V
Diodová konfigurace
Svorníkový, katoda
Typ usměrňovače
Spínané
Typ diody
Silikonový přechod
Počet kolíků
2
Maximální pokles propustného napětí
1.85V
Počet prvků na čip
1
Doba obnovení špičkové závěrné hodnoty
100ns
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
70A
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
Případ 267-05
Maximální stejnosměrný propustný proud
4A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
1000V
Diodová konfigurace
Svorníkový, katoda
Typ usměrňovače
Spínané
Typ diody
Silikonový přechod
Počet kolíků
2
Maximální pokles propustného napětí
1.85V
Počet prvků na čip
1
Doba obnovení špičkové závěrné hodnoty
100ns
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
70A
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products