IGBT modul NXH80T120L2Q0P2TG N-kanálový 1200 V, Q0Pack, počet kolíků: 20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorMaximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
158 W
Gehäusegröße
Q0PACK
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
20
Abmessungen
70.1 x 32.7 x 12.33mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
IGBT modul NXH80T120L2Q0P2TG N-kanálový 1200 V, Q0Pack, počet kolíků: 20
24
P.O.A.
IGBT modul NXH80T120L2Q0P2TG N-kanálový 1200 V, Q0Pack, počet kolíků: 20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
24
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorMaximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
158 W
Gehäusegröße
Q0PACK
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
20
Abmessungen
70.1 x 32.7 x 12.33mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Betriebstemperatur min.
-40 °C