Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorDauer-Kollektorstrom max.
150 A
Kollektor-Emitter-
400 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±6V
Gehäusegröße
ECH
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
8
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
2.9 x 2.3 x 0.9mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorDauer-Kollektorstrom max.
150 A
Kollektor-Emitter-
400 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±6V
Gehäusegröße
ECH
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
8
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
2.9 x 2.3 x 0.9mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.