Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
200 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
40 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
0.3 V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 40 až 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 11,08
€ 0,222 Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
€ 11,08
€ 0,222 Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,222 | € 11,08 |
500+ | € 0,191 | € 9,55 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
200 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
40 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
0.3 V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 40 až 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.