Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-600 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-40 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-40 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
200MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 40 až 50 V Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 74,00
€ 0,074 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
1000
€ 74,00
€ 0,074 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
1000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-600 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-40 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-40 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Maximální provozní frekvence
200MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 40 až 50 V Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.