Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
380 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Maximální ztrátový výkon
420 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,7 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.01mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,06
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
100
€ 0,06
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
100
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
100 - 500 | € 0,06 | € 6,00 |
600 - 1400 | € 0,05 | € 5,00 |
1500+ | € 0,04 | € 4,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
380 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Maximální ztrátový výkon
420 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,7 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.01mm
Podrobnosti o výrobku