Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
10 to 17mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-15V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
CP
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
10pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
3pF
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Höhe
1.1mm
Breite
1.5mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,122
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,122
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
10 to 17mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-15V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
CP
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
10pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
3pF
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Höhe
1.1mm
Breite
1.5mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.