Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-1,5 A
Kollektor-Emitter-
-80 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
12.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-80 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
8 x 3.25 x 11mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Power PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
10
P.O.A.
Štandardný
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-1,5 A
Kollektor-Emitter-
-80 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
12.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-80 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
8 x 3.25 x 11mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Power PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.