Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
-4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí kolektoru
-100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-2.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-500µA
Höhe
11mm
Breite
3.25mm
Maximální ztrátový výkon
14 W
Abmessungen
8 x 3.25 x 11mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
8mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
60
P.O.A.
60
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
-4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí kolektoru
-100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-2.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-500µA
Höhe
11mm
Breite
3.25mm
Maximální ztrátový výkon
14 W
Abmessungen
8 x 3.25 x 11mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
8mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.