Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
8 to 80mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
0.4 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-40 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
40V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
0.97mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,12
Each (In a Pack of 100) (bez DPH)
100
€ 0,12
Each (In a Pack of 100) (bez DPH)
100
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
100 - 900 | € 0,12 | € 12,00 |
1000 - 2900 | € 0,09 | € 9,00 |
3000 - 8900 | € 0,07 | € 7,00 |
9000 - 23900 | € 0,06 | € 6,00 |
24000+ | € 0,06 | € 6,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
8 to 80mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
0.4 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-40 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
40V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
0.97mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.