řada: SuperFET IIIMOSFET FCH040N65S3-F155 N-kanálový 65 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 dvojitý Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
65 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
SuperFET III
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
417 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V ac/dc
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
16.26mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
136 nC při 10 V
Breite
5.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
21.08mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
65 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
SuperFET III
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
417 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V ac/dc
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
16.26mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
136 nC při 10 V
Breite
5.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
21.08mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 100 V až 700 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products