řada: PowerTrenchMOSFET FDG6332C-F085 N/P-kanálový-kanálový 600 mA, 700 mA 20 V, SOT-363 (SC-70), počet kolíků: 6
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
600 mA, 700 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
PowerTrench
Gehäusegröße
SOT-363 (SC-70)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
700 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.3V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
1.25mm
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,1 nC při 4,5 V, 1,4 nC při 4,5 V
Výška
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.
Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
600 mA, 700 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
PowerTrench
Gehäusegröße
SOT-363 (SC-70)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
700 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.3V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
1.25mm
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,1 nC při 4,5 V, 1,4 nC při 4,5 V
Výška
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.
Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products