Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
80 A
Kollektor-Emitter-
650 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
231 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální provozní frekvence
1 MHz
Počet kolíků
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
15.87 x 4.82 x 20.82mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
10
P.O.A.
Štandardný
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
80 A
Kollektor-Emitter-
650 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
231 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální provozní frekvence
1 MHz
Počet kolíků
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
15.87 x 4.82 x 20.82mm
Maximální pracovní teplota
175 °C