Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
50 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
120 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
120 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
110 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, přes 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 79,00
€ 0,079 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
1000
€ 79,00
€ 0,079 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
50 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
120 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
120 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
110 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, přes 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.