Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
600 mA
Kollektor-Emitter-
40 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
75 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 40 až 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,06
Each (In a Bag of 1000) (bez DPH)
1000
€ 0,06
Each (In a Bag of 1000) (bez DPH)
1000
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Sáčok |
---|---|---|
1000 - 2000 | € 0,06 | € 60,00 |
3000 - 9000 | € 0,05 | € 50,00 |
10000 - 24000 | € 0,05 | € 50,00 |
25000+ | € 0,05 | € 50,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
600 mA
Kollektor-Emitter-
40 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
75 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 40 až 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.