Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
8 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.75 W
Minimální proudový zisk DC
60
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
85 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
2.38 x 6.73 x 6.22mm
Krajina pôvodu
Czech Republic
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory NPN, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 49,07
€ 0,654 Each (In a Tube of 75) (bez DPH)
75
€ 49,07
€ 0,654 Each (In a Tube of 75) (bez DPH)
75
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
75 - 75 | € 0,654 | € 49,07 |
150+ | € 0,532 | € 39,90 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
8 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.75 W
Minimální proudový zisk DC
60
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
85 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
2.38 x 6.73 x 6.22mm
Krajina pôvodu
Czech Republic
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory NPN, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.