Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A dc
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V dc
Höhe
16.12mm
Breite
4.9mm
Maximální ztrátový výkon
40 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.63mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,473
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 1,473
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,473 | € 73,66 |
100 - 200 | € 1,199 | € 59,96 |
250 - 450 | € 1,174 | € 58,71 |
500 - 950 | € 1,025 | € 51,26 |
1000+ | € 1,023 | € 51,13 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A dc
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V dc
Höhe
16.12mm
Breite
4.9mm
Maximální ztrátový výkon
40 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.63mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of