Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
min. 5mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-35 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
35V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
50 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
28pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
28pF
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.92mm
Höhe
0.93mm
Šířka
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,23
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
€ 0,23
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
25 - 225 | € 0,23 | € 5,74 |
250 - 725 | € 0,104 | € 2,61 |
750 - 1475 | € 0,09 | € 2,26 |
1500 - 2975 | € 0,077 | € 1,93 |
3000+ | € 0,07 | € 1,74 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
min. 5mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-35 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
35V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
50 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
28pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
28pF
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.92mm
Höhe
0.93mm
Šířka
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.