Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
12 to 30mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Konfigurace
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
5pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Breite
1.4mm
Höhe
1.01mm
Länge
3.04mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 5,50
€ 0,055 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 5,50
€ 0,055 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
100 - 240 | € 0,055 | € 0,55 |
250 - 490 | € 0,054 | € 0,54 |
500 - 990 | € 0,052 | € 0,52 |
1000+ | € 0,05 | € 0,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
12 to 30mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Konfigurace
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
5pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Breite
1.4mm
Höhe
1.01mm
Länge
3.04mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.