Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
24 to 60mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+25 V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
0.94mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,35
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
€ 0,35
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
5 - 120 | € 0,35 | € 1,75 |
125 - 245 | € 0,33 | € 1,65 |
250 - 495 | € 0,31 | € 1,55 |
500 - 1245 | € 0,29 | € 1,45 |
1250+ | € 0,28 | € 1,40 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
24 to 60mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+25 V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
0.94mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.