IGBT NGTB50N60FWG N-kanálový 100 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý

Skladové číslo RS: 145-5149Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NGTB50N60FWG
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBTs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

100 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

223 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Rychlost spínání

1MHz

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

16.25 x 5.3 x 21.4mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, ON Semiconductor

Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.

IGBT Discretes, ON Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

IGBT NGTB50N60FWG N-kanálový 100 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý

30

Dostupné v násobkoch 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

IGBT NGTB50N60FWG N-kanálový 100 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

30

Dostupné v násobkoch 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Dauer-Kollektorstrom max.

100 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

223 W

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Rychlost spínání

1MHz

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

16.25 x 5.3 x 21.4mm

Betriebstemperatur max.

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, ON Semiconductor

Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.

IGBT Discretes, ON Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more