Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp můstku
Single Phase
Průměrný špičkový propustný proud
2A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
30V
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
U-DFN3535
Pinanzahl
4
Diodová technologie
Schottky
Konfiguration
Single
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
12.5A
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Špičkové propustné napětí
650mV
Špičkový závěrný proud
20µA
Länge
3.5mm
Abmessungen
3.5 x 3.5 x 0.5mm
Höhe
0.5mm
Breite
3.5mm
Kapacitance spoje
102pF
Podrobnosti o výrobku
Schottky Rectifier s plným přemostěním, on Semiconductor
Diody ON on Semiconductor NSR2030 s celomůstkovou bariérou Schottky mají nízké dopředné napětí, které snižuje ztrátu vedení. Navrženo pro nízkonapěťové zařízení, úplné přemostění vysokorychlostních signálů, jako je bezdrátové nabíjení.
Bridge Rectifiers - ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp můstku
Single Phase
Průměrný špičkový propustný proud
2A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
30V
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
U-DFN3535
Pinanzahl
4
Diodová technologie
Schottky
Konfiguration
Single
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
12.5A
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Špičkové propustné napětí
650mV
Špičkový závěrný proud
20µA
Länge
3.5mm
Abmessungen
3.5 x 3.5 x 0.5mm
Höhe
0.5mm
Breite
3.5mm
Kapacitance spoje
102pF
Podrobnosti o výrobku
Schottky Rectifier s plným přemostěním, on Semiconductor
Diody ON on Semiconductor NSR2030 s celomůstkovou bariérou Schottky mají nízké dopředné napětí, které snižuje ztrátu vedení. Navrženo pro nízkonapěťové zařízení, úplné přemostění vysokorychlostních signálů, jako je bezdrátové nabíjení.