MOSFET NTA4001NT1G N-kanálový 240 mA 20 V, SC-75, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
240 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1.65mm
Breite
0.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 20 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,13
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
100
€ 0,13
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
100
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Páska |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,13 | € 13,00 |
| 500 - 900 | € 0,12 | € 12,00 |
| 1000 - 2400 | € 0,12 | € 12,00 |
| 2500 - 4900 | € 0,11 | € 11,00 |
| 5000+ | € 0,10 | € 10,00 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
240 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1.65mm
Breite
0.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 20 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products