Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
25 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
90 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
75 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-15 V, +15 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 5 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.38mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,95
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
€ 0,95
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
5 - 20 | € 0,95 | € 4,75 |
25 - 120 | € 0,69 | € 3,45 |
125 - 620 | € 0,55 | € 2,75 |
625 - 1245 | € 0,48 | € 2,40 |
1250+ | € 0,47 | € 2,35 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
25 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
90 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
75 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-15 V, +15 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 5 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.38mm
Podrobnosti o výrobku