MOSFET NTMFS4936NT1G N-kanálový 79 A 30 V, SO-8FL, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
79 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SO-8FL
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Maximální ztrátový výkon
43 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.1mm
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19 nC při 4,5 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 436,65
€ 0,291 Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
€ 436,65
€ 0,291 Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
79 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SO-8FL
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Maximální ztrátový výkon
43 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.1mm
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19 nC při 4,5 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products