MOSFET NTMFS5C670NLT1G N-kanálový 71 A 60 V, DFN, počet kolíků: 5 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
71 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
8.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
61 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V, 9 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
1.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 5,16
€ 0,516 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 5,16
€ 0,516 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,516 | € 5,16 |
| 100 - 240 | € 0,445 | € 4,45 |
| 250 - 490 | € 0,385 | € 3,85 |
| 500 - 990 | € 0,338 | € 3,38 |
| 1000+ | € 0,308 | € 3,08 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
71 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
8.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
61 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V, 9 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
1.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products