Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
560 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
830 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
29 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.01mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,23
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
€ 0,23
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,23 | € 11,50 |
500 - 1200 | € 0,21 | € 10,50 |
1250 - 2450 | € 0,20 | € 10,00 |
2500 - 4950 | € 0,19 | € 9,50 |
5000+ | € 0,17 | € 8,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
560 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
830 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
29 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.01mm
Podrobnosti o výrobku