MOSFET NTS2101PT1G P-kanálový 1,5 A 8 V, SOT-323, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
8 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
210 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.45V
Maximální ztrátový výkon
330 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.35mm
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,4 nC při 5 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.9mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 8 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 285,36
€ 0,095 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 285,36
€ 0,095 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
8 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
210 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.45V
Maximální ztrátový výkon
330 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.35mm
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,4 nC při 5 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.9mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 8 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products