MOSFET NTS2101PT1G P-kanálový 1,5 A 8 V, SOT-323, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
8 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
210 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.45V
Maximální ztrátový výkon
330 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,4 nC při 5 V
Höhe
0.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 8 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 22,60
€ 0,226 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 22,60
€ 0,226 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 100 - 225 | € 0,226 | € 5,65 |
| 250 - 475 | € 0,196 | € 4,90 |
| 500 - 975 | € 0,172 | € 4,30 |
| 1000+ | € 0,157 | € 3,92 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
8 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
210 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.45V
Maximální ztrátový výkon
330 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,4 nC při 5 V
Höhe
0.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 8 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products